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晶体管
IPD70N10S3-12参考图片

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IPD70N10S3-12

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
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库存：124,894(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
2,500
¥6.0794
15198.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
11.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPD70N10S312ATMA1 IPD7N1S312XT SP000427248
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD70N10S3-12的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC3646S-P-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
2,000:¥1.8532
参考库存:30302
A2T07D160W04SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07D160W04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥936.4536
5:¥918.3171
10:¥887.9653
25:¥850.3928
参考库存:29874
MMRF1015GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:29879
PDTD123YT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:33344
BUK9606-40B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:29316

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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