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晶体管
IPT60R080G7XTMA1参考图片

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IPT60R080G7XTMA1

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库存:11,442(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.5617
47.5617
10
¥42.9513
429.513
25
¥40.9512
1023.78
100
¥35.5724
3557.24
2,000
¥25.9674
51934.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS C7 Gold
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPT60R080G7 SP001615904
商品其它信息
优势价格,IPT60R080G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2996
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:47347
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥17.6732
10:¥15.0629
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
参考库存:9422
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥48.3301
10:¥38.8833
25:¥38.194
100:¥35.4255
参考库存:5164
晶体管
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9381
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:7861
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:20193
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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