MUN5111DW1T1G详细信息_MUN5111DW1T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	35
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5111DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	35 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N5796	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥318.4227 2:¥309.7443 5:¥301.2128 10:¥292.6022	参考库存:32021
DTA114TEBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:32026
2N2609	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	JFET	1:¥114.1865 10:¥103.734 25:¥95.9709 50:¥90.8294	参考库存:32031
2N5321	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥94.129 10:¥84.6822 25:¥77.1451 50:¥71.8454	参考库存:32036
NGTB15N120FLWG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V/15A IGBT SOLAR/UPS	暂无价格	参考库存:32041