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晶体管
IPB180P04P4-03参考图片

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IPB180P04P4-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
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数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.5994
10599.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
81 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
48 ns
零件号别名
IPB180P04P403ATMA1 IPB18P4P43XT SP000840202
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180P04P4-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥413.241
2:¥402.0314
5:¥390.8896
10:¥379.7478
参考库存:3871
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:8363
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
1:¥64.3874
10:¥58.1724
25:¥55.483
100:¥48.1832
3,000:¥35.1882
参考库存:3745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
参考库存:13647
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.554
2,500:¥4.5878
10,000:查看
参考库存:8934
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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