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晶体管
QPD1014SR参考图片

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QPD1014SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
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库存:1,878(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
200
¥315.044
63008.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
1 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
15.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1014
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1014EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1014
商品其它信息
优势价格,QPD1014SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
10:¥598.2785
30:¥578.3001
100:¥538.4902
参考库存:30412
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
3,000:¥0.69947
9,000:¥0.63732
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52997
99,000:¥0.51528
参考库存:30417
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DOUBLE RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:30422
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥1,996.0772
10:¥1,967.7933
25:¥1,940.8202
50:¥1,807.8192
参考库存:30427
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥211.9993
参考库存:30432
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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