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晶体管
STB7ANM60N参考图片

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STB7ANM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
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数量单价合计
1
¥19.8202
19.8202
10
¥16.9048
169.048
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
1,000
¥9.7632
9763.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB7ANM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB7ANM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:33300
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1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
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MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:58144
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1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:22146
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 500mA/50V w/bias resistors
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:23748
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    50万现货SKU

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