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晶体管
IPB081N06L3GATMA1参考图片

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IPB081N06L3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4467
744.67
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.198
5198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
G IPB081N06L3 IPB81N6L3GXT SP000398076
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB081N06L3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5794U
TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Transistor 6 Pin
1:¥280.3869
10:¥273.7086
100:¥268.6349
250:¥258.5666
参考库存:2325
BCW68HE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45 V 800 mA
1:¥1.8419
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:366112
MDS800
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,819.8681
5:¥4,529.4129
参考库存:2374
BCR 108 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:837121
NVMFS5C450NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 110A
1:¥6.4523
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
1,500:¥2.6442
9,000:查看
参考库存:57423

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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