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晶体管
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BST52TA

  • Diodes Incorporated
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  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,000
¥0.95259
1905.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
90 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BST52
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000 at 150 mA at 10 V, 2000 at 500 mA at 10 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA1298-Y(TE85L,F)
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4,000:¥10.8367
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
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500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:35328

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    50万现货SKU

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