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晶体管
IKB20N60H3参考图片

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IKB20N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
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库存:9,946(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.8256
3706.4
1,000
¥11.2209
11220.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB20N60H3ATMA1 IKB2N6H3XT SP000852234
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IKB20N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.4806
1,000:¥6.2037
参考库存:4786
晶体管
MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
3,000:¥5.2206
参考库存:16498
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
2,500:¥6.6105
参考库存:12500
晶体管
MOSFET 100V 75A 0.015ohm N-CH
1:¥24.4306
10:¥20.8259
100:¥18.0574
250:¥17.063
800:¥12.9046
2,400:查看
参考库存:10047
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥4.7686
10:¥3.6386
100:¥2.7007
500:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.7176
参考库存:19464
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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