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晶体管
DMN1029UFDB-7参考图片

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DMN1029UFDB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
5.6 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN1029
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.6 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格,DMN1029UFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 78A 15.5mOhm 71nC Qg
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥20.0575
500:¥17.9783
参考库存:4137
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:34319
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1642
参考库存:5986
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,000:¥0.24634
参考库存:48438
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PBFREE
1:¥0.99892
10:¥0.86106
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:218910
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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