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晶体管
RF4E070BNTR参考图片

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RF4E070BNTR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.424
54.24
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
3,000
¥2.5764
7729.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
28.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RF4E070BN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RF4E070BN
商品其它信息
优势价格,RF4E070BNTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:3672
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1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:88094
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1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,500:¥6.7122
5,000:查看
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1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5915
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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