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晶体管
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RF4E070BNTR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.424
54.24
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
3,000
¥2.5764
7729.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
28.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RF4E070BN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RF4E070BN
商品其它信息
优势价格，RF4E070BNTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
US6T4TR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:23718
DRC5124T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:23723
IFN3958
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
82:¥87.4394
100:¥80.456
250:¥73.3822
500:¥68.5458
参考库存:23728
F35W60C3-7100
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1:¥95.2025
10:¥88.9084
25:¥83.4505
50:¥72.3087
参考库存:23733
BSS84W-G
Comchip Technology
晶体管
MOSFET 50V 0.2A SOT-323
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥1.11418
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:23738

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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