RN1130MFV(TPL3)详细信息_RN1130MFV(TPL3)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	否
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	100 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1130MFV
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	100
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STGP30V60DF	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT	1:¥22.1254 10:¥18.7467 100:¥14.9838 500:¥13.1419	参考库存:6856
RJK005N03T146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 30V 500MA	1:¥3.4578 10:¥2.3956 100:¥1.10627 1,000:¥0.84524 3,000:¥0.72207	参考库存:17238
FDMC012N03	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET	1:¥14.9047 10:¥12.6786 100:¥10.1474 500:¥8.8366 3,000:¥6.8704 6,000:查看	参考库存:9325
IPW60R075CPFKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP	1:¥83.3714 10:¥75.3032 25:¥71.8454 100:¥62.3986	参考库存:26825
DMC4029SSD-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W	1:¥5.3788 10:¥4.5313 100:¥2.9154 1,000:¥2.3391 2,500:¥2.3391	参考库存:14752