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晶体管
STP18N55M5参考图片

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STP18N55M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
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数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP18N55M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP18N55M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
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10:¥4.2827
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10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:42210
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