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晶体管
IPD031N03L G参考图片

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IPD031N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:13,341(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2658
2632.9
2,500
¥3.6838
9209.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD031N03LGATMA1 IPD31N3LGXT SP000680554
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD031N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.2618
10:¥32.4988
100:¥28.2048
250:¥26.7358
参考库存:5017
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:16934
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:140201
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 30V 2A
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,000:¥1.05994
参考库存:47560
晶体管
MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥19.8202
10:¥17.8992
100:¥14.4414
500:¥11.2209
参考库存:14133
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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