| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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1:¥429.3774
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参考库存:9502
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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1:¥2,507.4474
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参考库存:7363
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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10:¥245.2778
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参考库存:7319
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,036.2665
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参考库存:40270
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,097.7385
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参考库存:40241
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,207.4615
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参考库存:40125
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥408.8679
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参考库存:40091
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1:¥346.7744
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参考库存:7196
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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250:¥2,165.8145
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参考库存:40055
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
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参考库存:6780
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,281.0019
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参考库存:39971
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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1:¥993.6203
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参考库存:6748
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
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暂无价格
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参考库存:39943
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
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参考库存:39925
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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暂无价格
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参考库存:39856
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:39824
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥329.3385
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参考库存:39783
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,046.8659
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参考库存:39686
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
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1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
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参考库存:6439
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥414.936
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参考库存:39636
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