图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,073.6726
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参考库存:50015
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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250:¥650.2924
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参考库存:49925
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:49788
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥687.944
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参考库存:49683
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,057.0924
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参考库存:49551
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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50:¥733.9802 100:¥682.6443
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参考库存:49371
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射频放大器 A2I08H040N/FM15F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥277.8557
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参考库存:49257
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:49206
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
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50:¥2,004.5974
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参考库存:49179
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS
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150:¥1,610.4873
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参考库存:49164
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:49119
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥705.3912
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参考库存:48886
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:48811
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:48630
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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150:¥882.5865
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参考库存:48390
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥768.7842
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参考库存:48135
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:48045
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:47998
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
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150:¥1,174.2734
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参考库存:47978
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:47958
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