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无线和射频半导体
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MRFE6VP6300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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100
¥682.6443
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314385178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP6300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMP4405-GM2
Microchip / Microsemi
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1:¥91.0554
10:¥81.9137
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1,000:¥49.1776
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参考库存:29718
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10,000:¥0.34578
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BAP51-04W,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 TAPE-7 DIO-RFSS
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.92208
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.52206
参考库存:28733

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