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无线和射频半导体
MRFE6VP6300HSR5参考图片

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MRFE6VP6300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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库存:49,371(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥733.9802
36699.01
100
¥682.6443
68264.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314385178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU BLUETOOTH SMART SIMPLELINK WIRELESS MCU
1:¥34.8831
10:¥31.1202
100:¥25.6623
250:¥24.1255
2,500:¥17.515
参考库存:25551
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Delta-Sigma Low Power Dual PLL for RF Pe
1:¥35.6515
10:¥32.0468
100:¥26.2047
250:¥24.5888
1,000:¥18.8258
参考库存:5403
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz P1dB= 22dB Gain 26.4dB 5Volts
1:¥49.5618
25:¥37.9567
100:¥29.6625
250:¥24.5888
2,500:¥16.9839
参考库存:5375
无线和射频半导体
RF 开关 IC .4-2.7GHz SP6T IL .85dB @2.68GHz
1:¥11.1418
10:¥10.0683
25:¥9.0626
100:¥8.0682
3,000:¥5.1302
参考库存:15177
无线和射频半导体
射频前端 5GHz WLAN FEM 802.11a/n/ac FEM
1:¥23.7413
25:¥21.357
100:¥19.0518
250:¥16.5997
500:¥14.7578
2,500:¥14.7578
参考库存:25829
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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