| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
|
|
|
射频放大器 A2G35S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
PDF数据手册
|
暂无价格
|
参考库存:46571
|
|
|
|
|
射频放大器 A2G35S200-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
PDF数据手册
|
暂无价格
|
参考库存:46119
|
|
|
|
|
|
260:¥47.1775
520:¥42.8722
1,040:¥38.5782
2,080:¥37.7307
|
参考库存:52184
|
|
|
|
|
射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
PDF数据手册
|
20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
|
参考库存:52057
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
PDF数据手册
|
50:¥1,067.4658
|
参考库存:51683
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
PDF数据手册
|
250:¥719.5275
|
参考库存:51601
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
PDF数据手册
|
500:¥312.8179
|
参考库存:51511
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
PDF数据手册
|
500:¥364.0634
|
参考库存:51116
|
|
|
|
|
射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
PDF数据手册
|
20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
|
参考库存:51056
|
|
|
|
|
|
1,000:¥80.7611
|
参考库存:49528
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
PDF数据手册
|
250:¥892.8808
|
参考库存:49274
|
|
|
|
|
射频无线杂项 MMDS09254H/HVQFN32///REEL 13 Q2 DP
PDF数据手册
|
1,000:¥78.6028
|
参考库存:49032
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
PDF数据手册
|
50:¥733.9802
100:¥682.6443
|
参考库存:46576
|
|
|
|
|
射频放大器 BGS8L4UK/WLCSP6//S/REEL 13 Q1 DP CHIPS
PDF数据手册
|
20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
|
参考库存:45613
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
PDF数据手册
|
50:¥1,301.6696
|
参考库存:45223
|
|
|
|
|
射频收发器 OL2385AHN/HVQFN48//001A1/REEL 13 Q1 DP
PDF数据手册
|
4,000:¥16.1364
|
参考库存:45133
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
PDF数据手册
|
150:¥1,466.2654
|
参考库存:45028
|
|
|
|
|
射频放大器 HV7 2700MHZ4W TO270WB16G
PDF数据手册
|
500:¥354.7748
|
参考库存:44951
|
|
|
|
|
射频收发器 OL2385 sub-GHz SiGFOX LPWAN
PDF数据手册
|
4,000:¥16.1364
|
参考库存:44811
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
PDF数据手册
|
150:¥1,073.6808
|
参考库存:44495
|
|