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无线和射频半导体
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D2017UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
50
¥279.3925
13969.625
100
¥270.1717
27017.17
250
¥265.5613
66390.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Flangeless DP
配置
Single
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2017UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4
1:¥33.8096
10:¥30.1936
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100:¥24.747
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1:¥2,227.5125
5:¥2,170.1876
10:¥2,084.5901
25:¥2,043.0174
参考库存:5169
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
1:¥427.9988
5:¥415.4784
10:¥406.6418
25:¥389.4997
50:¥389.4997
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1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
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1:¥56.9407
10:¥51.4828
25:¥48.8725
50:¥44.7932
3,000:¥31.5044
参考库存:20030
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    50万现货SKU

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