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无线和射频半导体
MRFE6VS25LR5参考图片

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MRFE6VS25LR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
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库存:6,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥427.9988
427.9988
5
¥415.4784
2077.392
10
¥406.6418
4066.418
25
¥389.4997
9737.4925
50
¥389.4997
19474.985
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
25.9 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VS25N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935320096178
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VS25LR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 SNGL-CHP ULTR-LW POW 2.4GHz TRNSCVR
1:¥25.8205
10:¥20.7468
100:¥18.9049
250:¥17.063
4,000:¥11.1418
参考库存:51806
无线和射频半导体
射频前端 GPS LNA Module
1:¥25.3572
10:¥22.6678
25:¥20.3626
100:¥18.5998
8,500:¥10.9836
参考库存:6608
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥15.6731
10:¥12.6786
100:¥11.3678
250:¥10.1474
3,000:¥6.8478
参考库存:11260
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,590.7462
5:¥1,557.1626
10:¥1,523.579
25:¥1,485.0912
50:¥1,446.5921
参考库存:3802
无线和射频半导体
RF 开关 IC 802.11b/g IL .3dB IP3=+43dBm typ.
1:¥7.91
10:¥7.1642
25:¥6.1924
100:¥5.5822
3,000:¥3.2996
参考库存:96994
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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