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无线和射频半导体
PTFB213004F-V2-R0参考图片

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PTFB213004F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:49,453(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥1,097.7385
54886.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213004F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:1511
无线和射频半导体
锁相环 - PLL SGL Integer-N 4.0 GHz
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,000:¥23.2102
参考库存:6083
无线和射频半导体
射频收发器 1.9-3.6V 433/868/ 915MHz TRNSCVR
1:¥32.2728
10:¥25.8996
100:¥23.5944
250:¥21.2892
参考库存:11430
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:20332
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=.45nH SOD-882 Single
1:¥3.5369
10:¥2.8815
100:¥1.9549
500:¥1.469
3,000:¥0.9831
参考库存:86579
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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