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无线和射频半导体
SD56120参考图片

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SD56120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
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数量单价合计
1
¥1,229.9824
1229.9824
5
¥1,200.399
6001.995
10
¥1,170.5783
11705.783
25
¥1,154.2159
28855.3975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
29.08 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD56120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .1-6.0GHz InGaP HBT Sm Sig Gain 20dB
1:¥23.052
10:¥20.5886
25:¥18.5207
100:¥16.9048
3,000:¥11.526
参考库存:24878
无线和射频半导体
射频放大器 WBand Driver amp SMT, DC - 20 GHz
1:¥2,669.8849
5:¥2,632.1542
10:¥2,557.0092
25:¥2,425.3755
参考库存:3845
无线和射频半导体
射频放大器 5-100MHz Gain 38.3dB NF 3.8dB In RL-20dB
1:¥134.0067
25:¥126.6278
100:¥120.1755
参考库存:3977
无线和射频半导体
射频放大器 4-20GHz Gain 16dB Iso 30dB
1:¥75.4614
10:¥67.9243
25:¥61.7771
100:¥55.8672
1,000:¥39.4935
参考库存:9804
无线和射频半导体
射频放大器 BGU8010/XSON6///REEL 7 Q1 NDP
1:¥6.2263
10:¥5.5031
25:¥4.972
100:¥4.3505
5,000:¥2.147
参考库存:28556
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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