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无线和射频半导体
MRF1535NT1参考图片

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MRF1535NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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数量单价合计
1
¥210.3156
210.3156
5
¥201.0157
1005.0785
10
¥194.021
1940.21
25
¥169.274
4231.85
500
¥145.996
72998
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
增益
13.5 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-Wrap-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.74 mm
长度
23.67 mm
工作频率
520 MHz
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.4 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
零件号别名
935317208528
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，MRF1535NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ATN3590-06
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 Attn=6dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz
100:¥32.883
300:¥29.6625
500:¥26.5889
1,000:¥22.4418
参考库存:2517
NB4N507ADR2G
ON Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V/5V PECL Clock Synthesizer
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
2,500:¥15.368
参考库存:26911
28441
Parallax
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID R/W 54mm x 85mm Rectangle Tag
1:¥23.9786
参考库存:1654
RAC101A-9C-TH
Kamaya
无线和射频半导体
衰减器
1:¥0.7684
5:¥0.32318
10,000:¥0.32318
参考库存:9906
SM0512-M1
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥116.955
10:¥106.3443
25:¥98.3552
50:¥93.0555
参考库存:1853

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