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无线和射频半导体
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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库存:20,332(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,MT3S111P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 .005-2GHz Ls 1.5nH Rev Series Pair
1:¥5.763
10:¥5.2093
25:¥4.4974
100:¥4.068
3,000:¥2.3956
参考库存:744003
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:11045
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:17977
无线和射频半导体
射频混合器 Double-Balanced - Mixer, 3-11GHz
1:¥401.263
5:¥389.1155
10:¥376.9793
25:¥364.8318
500:¥328.3328
参考库存:31381
无线和射频半导体
射频接收器 Fully Integrated GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS Receiver with embedded RF and in-package Flash
1:¥82.2979
10:¥74.3766
25:¥70.9188
100:¥61.5511
参考库存:6494
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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