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无线和射频半导体
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D2225UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2225UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
1:¥3.9211
10:¥2.2713
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.68365
参考库存:17125
FRDM-KW019032
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU FRDM-KW019032 Freedom Development Platform, Kinetis W MCU, KW01, 48 MHz, 128 KB Flash
1:¥1,808.6554
5:¥1,770.3936
10:¥1,732.1318
25:¥1,693.9378
参考库存:1877
SM4T
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥854.7659
5:¥806.3567
参考库存:27266
ADF4360-3BCPZRL7
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 1600-1950
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
1,500:¥28.9732
参考库存:2984
PH2226-110M
MACOM
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,251.7962
2:¥2,214.2237
5:¥2,177.8716
10:¥2,142.7625
25:¥2,065.5383
参考库存:1931

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