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无线和射频半导体
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PD55008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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3,000
¥62.1613
186483.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Reel
配置
Single
高度
0.88 mm
长度
5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008L-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
19.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD55008L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F1977NBGI8
IDT
无线和射频半导体
衰减器 F1977 RF Switch
1:¥51.2568
10:¥45.7198
25:¥41.1885
50:¥39.3466
2,500:¥24.747
参考库存:13868
AS3953B-BTWM
ams
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RFID应答器 AS3953B-BTWM WLP LF T&R
1:¥13.7521
10:¥11.1418
100:¥9.9892
250:¥8.8366
1,000:¥6.441
参考库存:6405
HMC754S8GETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 IF amp, Dual
1:¥50.2511
10:¥45.1774
100:¥37.0414
250:¥35.1204
500:¥31.5835
参考库存:3872
QPB8888SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218MHz Low Noise
1:¥51.4828
25:¥48.1041
100:¥44.6463
200:¥41.1885
500:¥37.8098
参考库存:1874
HMC-APH596-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 16 - 33 GHz
2:¥900.4857
6:¥884.1233
10:¥857.9186
26:¥827.4877
参考库存:1386

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    50万现货SKU

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