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无线和射频半导体
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D1014UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz SE
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¥462.1926
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100
¥449.4349
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
12 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
87.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1014UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1030LP5E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频检测器 Dual RMS pow Det , SE, DC - 3.9 GHz
1:¥203.4678
5:¥192.326
10:¥187.7156
25:¥168.7429
参考库存:2510
BGU8007,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 Low Noise Amplifier
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:77162
PFD1K
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
预定标器 Dual 40GHz 0.4Vp-p -153dBc/Hz PD 1.32W
1:¥2,971.4819
5:¥2,792.3656
参考库存:2484
HMC468ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 DC-6 GHz 3 Bit, 1dB LSB DATT
1:¥53.9462
10:¥48.7934
50:¥46.4882
100:¥40.4201
参考库存:3031
MC100EP40DTG
ON Semiconductor
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 3.3V/5V ECL Diff Phase Freq. Detector
1:¥145.2276
10:¥133.5434
25:¥128.0177
100:¥112.7288
参考库存:3123

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