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无线和射频半导体
SST12LP07E-QX8E参考图片

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SST12LP07E-QX8E

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • 射频放大器 2.4-2.5GHz 3.3V 220mA ICC 802.11 b/g
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库存:53,983(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥4.068
12204
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
类型
Power Amplifier
工作频率
2.4 GHz to 2.5 GHz
P1dB - 压缩点
26 dBm
增益
29 dB
工作电源电压
3 V to 3.6 V
测试频率
2.4 GHz
工作电源电流
220 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Reel
商标
Microchip Technology
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
3 V
单位重量
38.100 mg
商品其它信息
优势价格,SST12LP07E-QX8E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
500:¥487.3238
参考库存:57169
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 4.4GHz PLL w/inte grated low noise VCO
1,500:¥161.6691
参考库存:57174
无线和射频半导体
射频放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz
100:¥2,121.5524
参考库存:57179
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 4dB
1:¥1.7628
50:¥1.6159
100:¥1.3108
500:¥1.2317
4,000:¥0.92208
参考库存:57184
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
参考库存:57189
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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