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无线和射频半导体
MRF8S9220HSR3参考图片

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MRF8S9220HSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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数量单价合计
1
¥952.9742
952.9742
5
¥934.4535
4672.2675
10
¥903.6384
9036.384
25
¥865.3766
21634.415
250
¥775.9258
193981.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
65 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
920 MHz to 960 MHz
系列
MRF8S9220H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310477128
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格,MRF8S9220HSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJR
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参考库存:51101
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