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产品分类

无线和射频半导体
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存:5,044(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频无线杂项 LP MIXER FM IF SYS
1:¥47.2566
10:¥40.1828
100:¥34.804
250:¥33.0412
2,500:¥23.7413
参考库存:22280
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz 4W Small Cell PAE 29%
1:¥94.0499
10:¥85.0664
25:¥78.3768
50:¥73.9246
2,500:¥54.3982
参考库存:16117
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6GHz SPDT CMOS IL .35dB Iso 24dB
1:¥11.4469
10:¥10.2943
25:¥9.2999
100:¥8.2942
3,000:¥5.2545
参考库存:19729
无线和射频半导体
射频放大器 .4-4GHz Iso 23dB 2.7-5.0V
1:¥5.989
250:¥5.537
500:¥4.8364
1,000:¥4.0002
2,500:¥3.2318
参考库存:46756
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP4T Switch
1:¥64.9298
10:¥58.7035
50:¥55.935
100:¥48.5674
参考库存:8603
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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