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无线和射频半导体
MRFE6S9125NR1参考图片

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MRFE6S9125NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500
¥487.3238
243661.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
17.58 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935314059528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6S9125NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC644ALC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 5-Bit dig Phase Shifter SMT, 15 - 18.5
1:¥1,219.9932
5:¥1,202.7042
10:¥1,168.3522
25:¥1,108.2588
参考库存:3358
CY8C6336BZI-BLF03
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSOC6 USB, BLE, WiFi
1:¥63.2348
10:¥56.8616
25:¥51.7879
50:¥47.8668
参考库存:5055
MAX41461GUB+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频发射器 sub-GHz ASK/FSK Transmitter
1:¥9.2999
25:¥7.1868
50:¥7.0173
250:¥6.0907
1,000:¥5.4918
参考库存:5567
CC3220SF12ARGKR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU CC32X0 FLASH PG3.1
1:¥92.2871
10:¥84.8291
25:¥80.456
50:¥80.3769
2,500:¥52.7936
参考库存:23589
QPB9337TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 1.8-3.8 GHz Dual Channel Switch LNA Module
1:¥220.1466
25:¥167.9745
100:¥131.1704
2,500:¥131.1704
参考库存:4216

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    50万现货SKU

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