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无线和射频半导体
AFT05MS031NR1参考图片

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AFT05MS031NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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数量单价合计
1
¥93.7448
93.7448
10
¥86.219
862.19
25
¥82.377
2059.425
100
¥72.772
7277.2
500
¥62.8506
31425.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
19 dB
输出功率
33 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
136 MHz to 520 MHz
系列
AFT05MS031N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
5.8 S
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
294 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 VDC
零件号别名
935325665528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,AFT05MS031NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 Attentuator Kit 0603 6 Values 0-10dB x10
1:¥734.8955
5:¥713.1543
10:¥691.56
25:¥648.3714
参考库存:2791
无线和射频半导体
射频混合器 85 - 4200 MHz LO
1:¥163.7483
25:¥125.4752
100:¥98.0501
250:¥81.2922
2,500:¥56.0141
参考库存:15033
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC MKW36A512VHT4/HVQFN48R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥52.6354
10:¥47.5617
25:¥42.7253
100:¥39.4144
参考库存:6540
无线和射频半导体
射频放大器 1W 2-Stage, 22dbGain,1600-2700MHz
1:¥125.0232
10:¥113.4972
25:¥106.6494
50:¥102.6605
1,500:¥72.998
参考库存:8257
无线和射频半导体
射频放大器 700-4000MHZ 5VOLT GAIN 15.8DB NF 4.4DB
1:¥99.5869
25:¥74.693
100:¥55.3248
250:¥53.7089
2,500:¥45.4147
参考库存:19684
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    50万现货SKU

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