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无线和射频半导体
PTRA094252FC-V1-R2参考图片

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PTRA094252FC-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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库存:43,084(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥878.2021
219550.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
208 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
746 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTRA094252FC-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC 10-4000MHZ IL .8dB SP4T GaAs
1:¥69.3142
10:¥62.3986
25:¥56.7034
100:¥51.3246
3,000:¥34.9622
参考库存:13787
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:48509
无线和射频半导体
调节器/解调器 300MHz to 4GHz Quad- rature Modulator
1:¥82.0606
10:¥74.1506
25:¥68.6927
100:¥61.3929
3,000:¥44.8723
参考库存:28818
无线和射频半导体
射频前端 5G FEM, 2.5mmx2.5mm, 3.3V
1:¥17.3681
10:¥15.594
25:¥13.9894
100:¥12.5204
参考库存:9181
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:28825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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