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无线和射频半导体
TGF2060参考图片

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TGF2060

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
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数量单价合计
100
¥56.3192
5631.92
300
¥52.6354
15790.62
500
¥49.1776
24588.8
1,000
¥45.9458
45945.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
12 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 3 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
232 mS
NF—噪声系数
1.4 dB
P1dB - 压缩点
28 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098619
商品其它信息
优势价格,TGF2060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Phase Detect / PLL Freq Synthesizer
1:¥32.3519
10:¥28.8941
25:¥26.0465
50:¥24.8148
参考库存:6176
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz ISM-Band 250mW Power Amp
1:¥31.6626
25:¥24.8148
50:¥21.4361
250:¥20.9728
参考库存:3698
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:3725
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M3, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
1:¥44.7932
10:¥42.262
25:¥41.0303
50:¥39.7986
参考库存:3502
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 二极管 300mW 180V 0603C HF
1:¥33.5836
10:¥26.9731
100:¥24.5888
250:¥22.2045
4,000:¥15.368
参考库存:4549
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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