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无线和射频半导体
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D1002UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
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库存:48,625(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥499.3809
499.3809
10
¥439.1406
4391.406
25
¥390.3472
9758.68
50
¥350.1644
17508.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
高度
6.6 mm
长度
24.76 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.52 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
87 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1002UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,333.9424
5:¥1,304.133
10:¥1,277.465
25:¥1,258.6392
250:¥1,185.6412
参考库存:3899
无线和射频半导体
衰减器 0.5 dB LSB 5-Bit dig atten 0.1-30 GHz
1:¥930.4533
5:¥913.5485
10:¥886.5076
25:¥855.071
参考库存:4031
无线和射频半导体
射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 20.8dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:26753
无线和射频半导体
射频前端 5100-5850MHz 3.0V to 4.8V
1:¥53.562
100:¥47.4148
250:¥39.7986
500:¥33.6514
2,500:¥18.3625
参考库存:16340
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 5.2-5.9 GHz, 6-bit digital phase shifter
1:¥761.6426
5:¥737.1216
10:¥722.3751
25:¥692.9386
参考库存:4057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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