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无线和射频半导体
ADL5606ACPZ-R7参考图片

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ADL5606ACPZ-R7

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 1W 2-Stage, 22dbGain,1600-2700MHz
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库存:8,257(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥125.0232
125.0232
10
¥113.4972
1134.972
25
¥106.6494
2666.235
50
¥102.6605
5133.025
1,500
¥72.998
109497
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFCSP-16
类型
RF Driver
工作频率
1800 MHz to 2700 MHz
P1dB - 压缩点
30.8 dBm
增益
20.6 dB
工作电源电压
5.25 V
NF—噪声系数
4.7 dB
OIP3 - 三阶截点
45.5 dBm
工作电源电流
362 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
ADL5606
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
开发套件
ADL5606-EVALZ
输入返回损失
10 dB at 2655 MHz
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
1500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5 V
电源电压-最小
4.75 V
单位重量
119 mg
商品其它信息
优势价格,ADL5606ACPZ-R7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP6T 5-2000MHz 75 Ohm
1:¥8.0682
25:¥7.5258
100:¥6.9947
参考库存:5073
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥858.6079
2:¥831.9512
5:¥831.7139
10:¥804.899
参考库存:4365
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
参考库存:29744
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
1:¥1,321.1056
5:¥1,291.6013
10:¥1,265.1706
25:¥1,246.503
150:¥1,174.2734
参考库存:29749
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
参考库存:10577
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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