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无线和射频半导体

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MRF6VP3450HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
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1
¥1,433.2242
1433.2242
5
¥1,401.2565
7006.2825
10
¥1,372.5884
13725.884
25
¥1,352.3049
33807.6225
50
¥1,303.2064
65160.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Common Source
高度
5.08 mm
长度
32.38 mm
系列
MRF6VP3450H
类型
RF Power MOSFET
宽度
10.29 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935314024178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,MRF6VP3450HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:45709
无线和射频半导体
数字电位计 IC 256-Tap, Nonvolatile, IC-Interface, Digital Potentiometers
1:¥21.8994
10:¥20.8259
25:¥19.8202
100:¥19.7524
2,000:¥19.5151
参考库存:2254
无线和射频半导体
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暂无价格
参考库存:45716
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-5 SMT, DC - 7 GHz
暂无价格
参考库存:45721
无线和射频半导体
射频放大器 27.5-33.4GHz Gain 21dB P1dB 20dBm
暂无价格
参考库存:45726
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