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无线和射频半导体
BFU630F,115参考图片

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BFU630F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
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数量单价合计
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4.3844
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.1809
218.09
1,000
¥1.6837
1683.7
3,000
¥1.4351
4305.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
3 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
21 GHz
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064609115
单位重量
6.661 mg
商品其它信息
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