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无线和射频半导体
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV40100F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJG1173UX2-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 LNA w/Bypass LTE WiMAX 3.5GHz 3800MHz
5,000:¥3.9776
参考库存:50017
NCJ3340AHN/00300Y
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RFID应答器 NCJ3340AHN/HVQFN40//00300/REEL 13 Q1 DP
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EZR32LG330F128R68G-B0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M3, USB, +20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
1,000:¥35.4255
参考库存:50037

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    50万现货SKU

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