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产品分类

无线和射频半导体
MRF1K50H-TF3参考图片

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MRF1K50H-TF3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,203.75
7203.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
135 V
增益
23.7 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
系列
MRF1K50H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935337278598
单位重量
613 g
商品其它信息
优势价格,MRF1K50H-TF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调节器/解调器 300MHz to 4GHz Quad- rature Modulator
1:¥83.2923
10:¥76.614
25:¥72.6138
100:¥64.7038
250:¥61.472
参考库存:3958
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp Chip, 17 - 24 GHz
25:¥458.1924
100:¥424.6201
参考库存:3300
无线和射频半导体
RF 开关 IC 20MHz-6.0GHz SPDT IL .35dB @ 2.45GHz
1:¥5.6839
10:¥5.1528
25:¥4.4522
100:¥4.0115
3,000:¥2.373
参考库存:82457
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2GHz Max. -55C +175C Ct @-50V .3pF
1:¥95.5867
10:¥86.7501
20:¥80.456
50:¥75.8456
参考库存:3899
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 2.0 dB
1:¥0.92208
50:¥0.84524
100:¥0.7684
500:¥0.69156
1,000:¥0.61472
10,000:¥0.53788
参考库存:48081
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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