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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	21.7 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	45 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	45 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-20
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132528

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFR 360L3 E6765	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor	1:¥3.616 10:¥2.5086 100:¥1.1526 1,000:¥0.88366 15,000:¥0.64523	参考库存:35713
ARF475FL	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥740.3534 2:¥717.3805 5:¥717.1432 10:¥694.0234	参考库存:2450
RFPP9850	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 CATV Push-Pull	1:¥172.8109 25:¥162.7426 100:¥153.906 250:¥145.0694	参考库存:2632
HMC345ALP3E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC DC-8GHz +V SP4T SMT	1:¥193.2526 5:¥182.6532 10:¥178.2688 25:¥160.2114	参考库存:3049
T2G6000528-Q3 28V	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN	1:¥617.7936 25:¥522.8962 100:¥442.5984	参考库存:2751