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无线和射频半导体
BFP 410 H6327参考图片

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BFP 410 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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3.1527
10
¥2.599
25.99
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.04525
3135.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP410
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
25 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP410H6327XTSA1 BFP41H6327XT SP000762244
单位重量
7 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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