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分立半导体
C3M0120090D参考图片

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C3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
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1
¥49.4036
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
21.1 m
长度
16.13 mm
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,C3M0120090D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:43565
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥94.8974
250:¥86.5241
500:¥80.908
1,000:¥74.2297
参考库存:43570
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥160.2905
250:¥147.1486
500:¥140.007
参考库存:43575
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥186.6421
250:¥171.2741
500:¥163.059
参考库存:43580
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
105:¥74.9981
250:¥68.93
500:¥62.8506
1,000:¥54.7146
参考库存:43585
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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