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分立半导体
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IKW75N65ES5

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数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.42 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65ES5XKSA1 SP001319684
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，IKW75N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N6324/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥718.2958
100:¥702.7809
参考库存:44858
CDLL4574A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥197.3206
200:¥181.1164
500:¥172.3476
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JANTX1N3036CUR-1
Microsemi
分立半导体
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100:¥249.8091
250:¥229.2092
参考库存:44868
JANTX1N5305-1/TR
Microsemi
分立半导体
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100:¥245.888
250:¥225.6836
参考库存:44873
JAN1N4134DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥188.032
200:¥172.5058
500:¥164.2116
参考库存:44878

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    50万现货SKU

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