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分立半导体
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IKW75N65ES5

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1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.42 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65ES5XKSA1 SP001319684
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，IKW75N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:14938
EDF1DM-E3/45
Vishay Semiconductors
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桥式整流器 1.0 Amp 200 Volt
1:¥7.2207
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
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ZXTN4006ZTA
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Trans SOT89 T&R 1K
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,000:¥1.11418
参考库存:23187
IPB80P03P4L-07
Infineon Technologies
分立半导体
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1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:7499
TDZ4V7J,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 4.79V 2uA 80Ohm
1:¥2.8476
10:¥1.7854
100:¥0.7684
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.45313
参考库存:42651

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