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分立半导体
IPB80P03P4L-07参考图片

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IPB80P03P4L-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0512
705.12
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB80P03P4L07ATMA1 IPB8P3P4L7XT SP000396288
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB80P03P4L-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5520CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥254.0353
200:¥233.1303
参考库存:41313
JAN1N4120DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥188.032
200:¥172.5058
500:¥164.2116
参考库存:41318
JANTXV1N963DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥242.046
200:¥222.1467
参考库存:41323
CDLL4584A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥176.1896
200:¥161.6691
500:¥153.906
参考库存:41328
1N5928AP/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.4468
参考库存:41333

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    50万现货SKU

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