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分立半导体
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IPD122N10N3GATMA1

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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
2,500
¥3.7064
9266
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
12.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
G IPD122N10N3 SP001127828
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格，IPD122N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-16CTQ060SHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1,000:¥5.8873
3,000:¥5.4805
5,000:¥5.2771
10,000:¥5.0737
参考库存:43529
ACT108-600EQP
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 ACT108-600E/TO-92/STANDARD MAR
10,000:¥1.09158
30,000:¥1.03734
50,000:¥1.01474
参考库存:43534
HSM8100GE3/TR13
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
3,000:¥8.5315
6,000:¥8.2264
9,000:¥7.6388
参考库存:43539
VS-MBRB2080CT-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1,000:¥5.7517
3,000:¥5.3562
5,000:¥5.1528
10,000:¥4.9607
参考库存:43544
CDLL825AE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
157:¥45.5616
250:¥41.8778
500:¥38.1149
1,000:¥33.2672
参考库存:43549

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    50万现货SKU

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