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分立半导体
GBUE2560-M3/P参考图片

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GBUE2560-M3/P

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • 桥式整流器 600V Vrrm; 25A If Case Style GBU
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库存:6,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.8941
28.8941
10
¥23.8995
238.995
100
¥19.6733
1967.33
250
¥19.0518
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
桥式整流器
RoHS
类型
Single Phase Bridge
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
GBU-4
If - 正向电流
12.5 A
峰值反向电压
600 V
Vf - 正向电压
0.88 V
最大浪涌电流
350 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
长度
22.3 mm
宽度
3.56 mm
高度
18.8 mm
封装
Tube
产品
Bridge Rectifiers
商标
Vishay Semiconductors
Ir - 反向电流
0.1 uA
产品类型
Bridge Rectifiers
工厂包装数量
20
子类别
Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压
600 V
商品其它信息
优势价格,GBUE2560-M3/P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥465.2662
5:¥454.8137
10:¥437.0614
25:¥422.9251
参考库存:2882
分立半导体
桥式整流器 600V Vrrm; 25A If Case Style GBU
1:¥28.8941
10:¥23.8995
100:¥19.6733
250:¥19.0518
参考库存:6209
分立半导体
MOSFET Dual N-channel 60 V 55 mo FET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.7007
参考库存:6386
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5653
6,000:查看
参考库存:7103
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:5125
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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