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分立半导体
STP36N60M6参考图片

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STP36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥35.1204
35.1204
10
¥29.8885
298.885
100
¥25.8996
2589.96
250
¥24.5888
6147.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP36N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，STP36N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:108295
IRFH5025TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
500:¥13.8312
4,000:¥13.8312
参考库存:14612
BAT 54-03W E6327
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diode
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:52454
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:6286
FDS86106
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
2,500:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:27063

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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