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分立半导体
STF12N120K5参考图片

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STF12N120K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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库存：6,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.0715
74.0715
10
¥66.9299
669.299
25
¥63.8563
1596.4075
100
¥55.4039
5540.39
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF12N120K5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh K5
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68.5 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF12N120K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:108295
IRFH5025TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
500:¥13.8312
4,000:¥13.8312
参考库存:14612
BAT 54-03W E6327
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diode
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:52454
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:6286
FDS86106
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
2,500:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:27063

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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