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分立半导体
FF450R17ME4参考图片

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FF450R17ME4

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库存:2,769(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,805.1976
1805.1976
5
¥1,761.783
8808.915
10
¥1,718.0633
17180.633
25
¥1,693.9378
42348.445
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R17ME4BOSA1 SP000408712
单位重量
345 g
商品其它信息
优势价格,FF450R17ME4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:10196
分立半导体
SCR 25A 1000V
1:¥21.7412
10:¥17.4472
100:¥13.9894
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:6068
分立半导体
分立半导体模块
1:¥399.794
5:¥390.8105
10:¥375.5216
25:¥363.4532
参考库存:4155
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.4579
10:¥5.3788
25:¥4.5087
100:¥4.1132
2,000:¥2.8024
4,000:查看
参考库存:11457
分立半导体
整流器 200 Volt 18A 25ns Dual Common Cathode
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
800:¥6.3506
参考库存:30115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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